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tratados podem ser utilizados como janelas óticas das células solares, assim como
material semicondutor para as camadas tipo-p e tipo-n, (CHOPRA
et al.
, 1983,
WIENKE
et al
., 2008, ZHANG
et al
., 2008). O ZnO além de ser abundante na
natureza não é tóxico.
Em relação às formas de deposição de filmes (Pulverização Catódica,
Evaporação, Deposição Química por Vapor, Laser Pulsado, Sol-Gel, etc.) a técnica
de spray-pirólise possui algumas vantagens sob as demais técnicas, como o baixo
custo, a facilidade de manuseio dos equipamentos e a não exigência de um sistema
de vácuo durante a deposição (CHOPRA
et al.
, 1983). A Técnica de Spray-pirólise
consiste em incidir um
spray
contendo uma solução iônica de um sal de interesse
contra um substrato previamente aquecido. Ao entrar em contato com esse
substrato, as substâncias precursoras sofrem decomposição pirolítica, ocorrendo
reações químicas que dão origem ao composto desejado.
Com isto, a proposta deste trabalho foi a produção e caracterização de filmes
de óxido de zinco dopados com nitrogênio, ZnO:N, como materiais
nanoestruturados, para aplicação na camada absorvedora tipo-p da junção
semicondutora formadora das células solares, dentro das propriedades esperadas
para a sua funcionalidade. Particular interesse foi dado a preparação de filmes de
ZnO dopados do tipo-p, cuja preparação de forma eficiente e reprodutível ainda
representa uma barreira a ser vencida nesta área do conhecimento, visto que
intrinsecamente o ZnO possui uma condução tipo n.
2 MATERIAIS E MÉTODOS
2.1 Preparação da Solução Precursora
Os filmes ZnO:N foram produzidos a partir de uma solução de acetato de
zinco 0,1M diluída em água deionizada e álcool isopropílico na proporção 1:3. Para a
preparação de 1,0 litro de solução de acetato de Zinco 0,1M, foram utilizados 21,95g
de acetato de zinco bi-hidradado [Zn(CH3COO)
2
. 2H
2
0] diluído em 250 ml de água
deionizada e 750 ml de álcool isopropílico. O elemento químico dopante foi o
nitrogênio, para produção de filmes de ZnO:N. Os filmes de ZnO 0,1M foram