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O valor da energia do

Gap

ótico é determinado pela extrapolação da reta até

a intersecção com o eixo referente à energia do fóton.

Para se determinar o tipo de condução elétrica dos filmes, ou seja, qual o

portador de carga predominante (lacunas para condução tipo-p e elétrons para

condução tipo-n) foram realizadas medidas de efeito Hall. Estas medidas foram

realizadas com a utilização do equipamento BioRad HL5500 do Laboratório de

Filmes Finos do Instituto Militar de Engenharia, IME-RJ, por meio do método de Van

der Pauw.

2.4 Parâmetros de Deposição

As propriedades adquiridas pelos filmes produzidos dependem, sobretudo,

das condições nas quais foram depositados, ou seja, da escolha dos parâmetros de

deposição. Neste trabalho foram estabelecidos os seguintes parâmetros de

deposição:

Concentração de material dopante: 1, 1,5, 2, 2,5 e 3% at. de N.

Fluxo da solução precursora (φ): 2 ml/min

Temperatura do substrato: 400ºC

Distância do bico atomizador: 25 cm

Pressão do gás de arraste: 1,5 kgf/cm

2

Tempo de deposição: 30 minutos

3

RESULTADOS E DISCUSSÃO

3.1 Caracterização Estrutural

Todos os difratogramas de raios X dos filmes de ZnO:N apresentaram

características similares. Na figura 1 é apresentado o difratograma referente ao filme

dopado a 2% at. de N. Foi observado que os filmes são policristalinos e possuem

estrutura hexagonal da wurtzita. Foi possível identificar os seguintes picos