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absorvedora deste tipo. Os resultados sobre o tipo de condução são apresentados
no item 3.4.
3.4 Caracterização Elétrica
Através das medidas de efeito Hall pode-se determinar se o material dopante,
N, foi inserido ou não na matriz do ZnO de forma a converter o tipo de condução
intrínseca, do tipo-n para o tipo-p. Os resultados referentes ao tipo de condução
encontrado para os filmes de ZnO:N com diferentes concentrações de dopante são
apresentados na tabela 3.
Tabela 3-
Tipo de condução em função da concentração de dopante em filmes de ZnO:N.
Filme ZnO:N (%at.)
Tipo de Condução
1,0
N
1,5
P
2,0
P
2,5
P
3,0
N
Os únicos filmes de ZnO:N que não apresentaram uma condutividade tipo-p,
foram os dopados a 1,0 e 3,0% at. Segundo Golshahi e Razoti (2011), o nitrogênio
pode entrar na matriz do ZnO substituindo o oxigênio, reduzindo a concentração de
elétrons, e aumentando o número de lacunas. Entretanto, devido a baixa
solubilidade do N, este pode entrar na matriz do ZnO formando um defeito ou um
complexo doador ao invés de realizar a substituição. A incorporação do N na matriz
do ZnO é muito menor do que a quantidade de N inserida na solução precursora,
isto explica por que o filme com menor concentração, 1,0% at. de N, não
apresentou
uma alteração no tipo de condução, permanecendo do tipo n. A partir do aumento da
concentração
de N na solução precursora, ocorreu a inserção do dopante na matriz
do ZnO, isto conferiu a mudança da condução para o tipo-p nos filmes dopados a
1,5, 2,0 e 2,5% at.
Entretanto, o filme com 3,0% at. de N apresentou novamente uma condução
tipo-n. Este comportamento pode estar relacionado a um aumento significativo de